IRFS4010PBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRFS4010PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

PSMN3R8-100BS,118

Nexperia USA Inc.

Skladem : 11 345

Jednotková cena : 122,90000 Kč

Katalogový list

Zobrazit a porovnat všechny náhrady

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFS4010PBF
Číslo produktu DigiKey	IRFS4010PBF-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFS4010PBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,7mOhm při 106A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	215 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9575 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem

Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.

Může vás též zajímat

1 Položky