Name: IRFR3410TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3410TRLPBFTR-ND
Price: 40.4987 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFR3410TRLPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFR3410TRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFR3410TRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFR3410TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFR3410TRLPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFR3410TRLPBF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	39mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1690 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 110W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA (DPAK)
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IRFR3410