Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 63.525 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFH5020TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFH5020TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFH5020TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFH5020TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 5,1A (Ta) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFH5020TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 150µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 54 nC @ 10 V
Řada HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2290 pF @ 100 V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Rozptylový výkon (Max) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,1A (Ta)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IRFH5020
Rds zap (max) při Id, Vgs 55mOhm při 7,5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 7 671

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®