IRF9332PBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRF9332PBF
Číslo produktu DigiKey	IRF9332PBF-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF9332PBF
Popis	MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 9,8A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF9332PBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	17,5mOhm při 9,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1270 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Souhlasím se zasíláním marketingových e-mailů od společnosti DigiKey (volitelné). Beru na vědomí, že svůj souhlas mohu kdykoli odvolat. Přečtěte si prosím naše Prohlášení o ochraně osobních údajů.