IRF8313TRPBF Infineon Technologies | Pole FET, MOSFET

IRF8313TRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 21,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF8313TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF8313TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF8313TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF8313TRPBF
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 9,7A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF8313TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 15,5mOhm při 9,7A, 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,35V při 25µA
Řada HEXFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 760pF při 15V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 2W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,7A	Základní číslo produktu IRF8313