IRF8313PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 15,09000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 30V 9,7A 2W Montáž na povrch 8-SO
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF8313PBF

Číslo produktu DigiKey
IRF8313PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF8313PBF
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 9,7A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9,7A
Rds zap (max) při Id, Vgs
15,5mOhm při 9,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,35V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
90nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
760pF při 15V
Výkon - max
2W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SO
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.