IRF8313PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 9,36000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 30V 9,7A 2W Montáž na povrch 8-SO
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF8313PBF

Číslo produktu DigiKey
IRF8313PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF8313PBF
Popis
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 30V 9,7A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
2,35V při 25µA
Výrobce
Infineon Technologies
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
90nC při 4,5V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
760pF při 15V
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Výkon - max
2W
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30V
Dodávaná velikost pouzdra
8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9,7A
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
15,5mOhm při 9,7A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (1)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
DMN3015LSD-13Diodes Incorporated0DMN3015LSD-13DICT-ND9,36000 KčSimilar
Skladem: 0
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.