IRF7902PBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRF7902PBF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Skladem : 3 053

Jednotková cena : 20,63000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7902PBF
Číslo produktu DigiKey	IRF7902PBF-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7902PBF
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6,4A, 9,7A 1,4W, 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,4A, 9,7A
Rds zap (max) při Id, Vgs	22,6mOhm při 6,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,25V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6,9nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	580pF při 15V
Výkon - max	1,4W, 2W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	IRF7902