Name: IRF7749L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7749L1TRPBFTR-ND
Price: 154.2266 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7749L1TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF7749L1TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF7749L1TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF7749L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7749L1TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 33A (Ta), 200A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch DirectFET™ izometrický L8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF7749L1TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 300 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12320 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,3W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 33A (Ta), 200A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DirectFET™ izometrický L8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro DirectFET™ izometrický L8
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5mOhm při 120A, 10V	Základní číslo produktu IRF7749