IRF7317TRPBF Infineon Technologies | Pole FET, MOSFET

IRF7317TRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 27,30000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 0

Jednotková cena : 25,20000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7317TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF7317PBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF7317PBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF7317PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7317TRPBF
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 6,6A, 5,3A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF7317TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 29mOhm při 6A, 4,5V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 700mV při 250µA
Řada HEXFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 900pF při 15V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 2W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,6A, 5,3A	Základní číslo produktu IRF731