Name: IRF7313TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7313TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 30.0564 CZK
Availability: OutOfStock

IRF7313TRPBFXTMA1 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

UMW

Skladem : 2 941

Jednotková cena : 21,89000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7313TRPBFXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IRF7313TRPBFXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IRF7313TRPBFXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IRF7313TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7313TRPBFXTMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6,5A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch PG-DSO-8-902
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,5A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 5,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	33nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	650pF při 25V
Výkon - max	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	PG-DSO-8-902

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®