Name: IRF6648TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6648TRPBFTR-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF6648TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF6648TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF6648TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF6648TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF6648TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 86A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch DIRECTFET™ MN
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF6648TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,9V při 150µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 10 V
Řada HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2120 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,8W (Ta), 89W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra DIRECTFET™ MN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 86A (Tc)	Pouzdro DirectFET™ izometrický MN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IRF6648
Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 17A, 10V