Name: IRF5802TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5802TRPBFTR-ND
Price: 16.2624 CZK
Availability: InStock

IRF5802TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF5802TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF5802TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF5802TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF5802TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch Micro6™(TSOP-6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF5802TRPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	900mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2Ohm při 540mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	88 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	Micro6™(TSOP-6)
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	IRF5802

Jednotková cena bez DPH:	13,44000 Kč
Jednotková cena s DPH:	16,26240 Kč

IRF5802TRPBF