Name: IRF5801TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5801TRPBFTR-ND
Price: 18.5493 CZK
Availability: InStock

IRF5801TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF5801TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF5801TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF5801TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF5801TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch Micro6™(TSOP-6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF5801TRPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	600mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,2Ohm při 360mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	3.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	88 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	Micro6™(TSOP-6)
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	IRF5801

Jednotková cena bez DPH:	15,33000 Kč
Jednotková cena s DPH:	18,54930 Kč

IRF5801TRPBF