Name: IRF5801TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5801TRPBFTR-ND
Price: 21.4533 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF5801TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF5801TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF5801TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF5801TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF5801TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch Micro6™(TSOP-6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF5801TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,5V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3.9 nC @ 10 V
Řada HEXFET®	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 88 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra Micro6™(TSOP-6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 600mA (Ta)	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IRF5801
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,2Ohm při 360mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 433

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)