Name: IRF530NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF530NSTRLPBFTR-ND
Price: 58.443 CZK
Availability: InStock

IRF530NSTRLPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF530NSTRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF530NSTRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF530NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF530NSTRLPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 17A (Tc) 3,8W (Ta), 70W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF530NSTRLPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	920 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 70W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IRF530

Jednotková cena bez DPH:	48,30000 Kč
Jednotková cena s DPH:	58,44300 Kč

IRF530NSTRLPBF