IRF3415PBF není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar

IRFB4321PBF
Infineon Technologies
Skladem : 2 964
Jednotková cena : 77,25000 Kč
Katalogový list

Similar

IRFB4615PBF
Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 13,97510 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent

IRFP3415PBF
Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar

AOT254L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 16,49394 Kč
Katalogový list

Similar

HUF75842P3
onsemi
Skladem : 772
Jednotková cena : 114,72000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
IRFB4127PBFXKMA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF3415PBF

Číslo produktu DigiKey
IRF3415PBF-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IRF3415PBF
Popis
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
HEXFET®
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
43A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
42mOhm při 22A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
IRF3415
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
156,62000 Kč56,62 Kč
1036,62700 Kč366,27 Kč
10025,19050 Kč2 519,05 Kč
50020,30440 Kč10 152,20 Kč
1 00018,73387 Kč18 733,87 Kč
2 00017,41340 Kč34 826,80 Kč
5 00017,32941 Kč86 647,05 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:56,62000 Kč
Jednotková cena s DPH:68,51020 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

38,52000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

44,63000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

66,94000 Kč
IRS20752LTRPBF

IRS20752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,58000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

55,57000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
4 Položky
IRF5210PBF

IRF5210PBF

MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB

Infineon Technologies

66,94000 Kč
IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB

Infineon Technologies

77,67000 Kč
AUIRF3415

AUIRF3415

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

36,62699 Kč
0251010.HAT1L

0251010.HAT1L

FUSE BOARD MOUNT 10A 125VAC/VDC

Littelfuse Inc.

27,37000 Kč