IRF2805STRLPBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRF2805STRLPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF2805STRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF2805STRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF2805STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF2805STRLPBF
Popis	MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 135A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF2805STRLPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	135A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,7mOhm při 104A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5110 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	200W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IRF2805