Name: IRF1010NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010NSTRLPBFTR-ND
Price: 33.275 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IRF1010NSTRLPBF
cms-digikey-product-number	IRF1010NSTRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF1010NSTRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF1010NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IRF1010NSTRLPBF
cms-description	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
cms-standard-lead-time	26 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	85A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11mOhm při 43A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3210 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	180W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IRF1010

Jednotková cena bez DPH:	27,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:	33,27500 Kč

IRF1010NSTRLPBF