Name: IQFH61N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH61N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 180.9676 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQFH61N06NM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQFH61N06NM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQFH61N06NM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQFH61N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQFH61N06NM5ATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 51A (Ta), 510A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQFH61N06NM5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	51A (Ta), 510A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0.61mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3.3V @ 247µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	18100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-12
Pouzdro	12-PowerTDFN