Name: IQFH61N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH61N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 226.6088 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQFH61N06NM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQFH61N06NM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQFH61N06NM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQFH61N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQFH61N06NM5ATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 51A (Ta), 510A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-12-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQFH61N06NM5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 0.61mOhm @ 100A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3.3V @ 247µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 285 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 18100 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 300W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 51A (Ta), 510A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-12-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 12-PowerTDFN