Name: IQFH36N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 133.6445 CZK
Availability: OutOfStock

IQFH36N04NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQFH36N04NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQFH36N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQFH36N04NM6ATMA1
Popis	IQFH36N04NM6ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-12-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQFH36N04NM6ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	66A (Ta), 656A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,36mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,8V při 1,05mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	309 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	18600 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-12-1
Pouzdro	12-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	110,45000 Kč
Jednotková cena s DPH:	133,64450 Kč

IQFH36N04NM6ATMA1