Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 94.7672 CZK
Availability: InStock

N-kanál 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Popis	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 20A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 49µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 44 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2900 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Ta), 99A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHTFN-9-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 9-PowerWDFN