Name: IQE031N08LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE031N08LM6CGATMA1TR-ND
Price: 75.9638 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE031N08LM6CGATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE031N08LM6CGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE031N08LM6CGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE031N08LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE031N08LM6CGATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 18A (Ta), 127A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TTFN-9-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE031N08LM6CGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3,15mOhm při 20A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 50,8µA
Řada OptiMOS™ 6	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 68 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4600 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Ta), 127A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TTFN-9-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 9-PowerTDFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 4 030

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®