Name: IQE013N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 77.4884 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE013N04LM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE013N04LM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE013N04LM6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE013N04LM6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 51µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 55 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3900 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-8-4
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,35mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu IQE013