Name: IQE013N04LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND
Price: 72.5879 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IQE013N04LM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE013N04LM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE013N04LM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE013N04LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE013N04LM6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE013N04LM6ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,35mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 51µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3900 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-4
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IQE013

Jednotková cena bez DPH:	59,99000 Kč
Jednotková cena s DPH:	72,58790 Kč

IQE013N04LM6ATMA1