Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 81.2999 CZK
Availability: InStock

IQE006NE2LM5CGATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE006NE2LM5CGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch PG-TTFN-9-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	41A (Ta), 298A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,65mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	82.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5453 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TTFN-9-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IQE006

Jednotková cena bez DPH:	67,19000 Kč
Jednotková cena s DPH:	81,29990 Kč

IQE006NE2LM5CGATMA1