Name: IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 171.094 CZK
Availability: InStock

N-kanál 60 V 42A (Ta), 447A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQDH88N06LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Popis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 42A (Ta), 447A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 0,86mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 163µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 95 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 14000 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 42A (Ta), 447A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHTFN-9-U02
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 9-PowerWDFN