Name: IQD016N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 182.952 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQD016N08NM5SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQD016N08NM5SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQD016N08NM5SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQD016N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQD016N08NM5SCATMA1
Popis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-U02
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQD016N08NM5SCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,57mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 159µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 133 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9200 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Ta), 323A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHSON-8-U02
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerWDFN