Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 184.9122 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPW65R099C6FKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPW65R099C6FKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPW65R099C6FKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPW65R099C6FKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	38A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 12,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2780 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-3-1
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	IPW65R099

Jednotková cena bez DPH:	152,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:	184,91220 Kč

IPW65R099C6FKSA1