Name: IPW60R024P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R024P7XKSA1-ND
Price: 315.8221 CZK
Availability: InStock

IPW60R024P7XKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPW60R024P7XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPW60R024P7XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 101A (Tc) 291W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPW60R024P7XKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	101A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 42,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 2,03mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	164 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7144 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	291W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-3-41
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	IPW60R024

Jednotková cena bez DPH:	261,01000 Kč
Jednotková cena s DPH:	315,82210 Kč

IPW60R024P7XKSA1