IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPU80R2K8CEBKMA1
Číslo produktu DigiKey	IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPU80R2K8CEBKMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Průchozí otvor PG-TO251-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 120µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 290 pF @ 100 V
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Rozptylový výkon (Max) 42W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO251-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,9A (Tc)	Pouzdro TO-251-3, krátké přívody, IPAK, TO-251AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPU80R
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,8Ohm při 1,1A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici.

IPU80R2K8CEBKMA1