PG-TO251-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPU80R2K8CEBKMA1

Číslo produktu DigiKey
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPU80R2K8CEBKMA1
Popis
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Průchozí otvor PG-TO251-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolMOS™
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
2,8Ohm při 1,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,9V při 120µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
290 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
42W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO251-3
Pouzdro
TO-251-3, krátké přívody, IPAK, TO-251AA
Základní číslo produktu
IPU80R
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici.