Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 150.282 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT039N15N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT039N15N5ATMA1
Popis	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT039N15N5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,6V při 257µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7700 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8
Pouzdro	8-PowerSFN