Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 185.9891 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT039N15N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT039N15N5ATMA1
Popis	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT039N15N5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3,9mOhm při 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 4,6V při 257µA
Řada OptiMOS™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 98 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7700 pF @ 75 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Pouzdro 8-PowerSFN