Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 127.7881 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

IPT039N15N5ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPT039N15N5ATMA1
cms-description	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
cms-standard-lead-time	26 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IPT039N15N5ATMA1 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,6V při 257µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7700 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8
Pouzdro	8-PowerSFN