TO-251-3 Stub
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPS70R600CEAKMA1

Číslo produktu DigiKey
IPS70R600CEAKMA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPS70R600CEAKMA1
Popis
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 700 V 10,5A (Tc) 86W (Tc) Průchozí otvor PG-TO251-3-11
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolMOS™
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
10,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 210µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
474 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
86W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO251-3-11
Pouzdro
TO-251-3, čepové přívody, IPAK
Základní číslo produktu
IPS70R
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici.