IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPP80N06S4L07AKSA2 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

onsemi

Skladem : 4 643

Jednotková cena : 74,94000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 214

Jednotková cena : 78,31000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 21

Jednotková cena : 104,62000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 629

Jednotková cena : 61,05000 Kč

Parametrický ekvivalent

Rochester Electronics, LLC

Skladem : 3 692

Jednotková cena : 11,99850 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP80N06S4L07AKSA2
Číslo produktu DigiKey	IPP80N06S4L07AKSA2-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP80N06S4L07AKSA2
Popis	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,7mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 40µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5680 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	79W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-1
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP80N