IPP80N06S209AKSA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPP80N06S209AKSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 1 827

Jednotková cena : 61,05000 Kč

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 773

Jednotková cena : 78,73000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 936

Jednotková cena : 62,31000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 629

Jednotková cena : 61,05000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP80N06S209AKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP80N06S209AKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP80N06S209AKSA1
Popis	MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,1mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 125µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2360 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	190W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-1
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP80N