IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPP530N15N3GXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 990

Jednotková cena : 63,82000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 0

Jednotková cena : 63,82000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP530N15N3GXKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP530N15N3GXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP530N15N3GXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP530N15N3GXKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 35µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 887 pF @ 75 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 68W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3-1
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Tc)	Pouzdro TO-220-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Základní číslo produktu IPP530
Rds zap (max) při Id, Vgs 53mOhm při 18A, 10V