IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPP120N20NFDAKSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 12 954

Jednotková cena : 128,26000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 216,06000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP120N20NFDAKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP120N20NFDAKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP120N20NFDAKSA1
Popis	MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP120N20NFDAKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 270µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 87 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6650 pF @ 100 V
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Rozptylový výkon (Max) 300W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 84A (Tc)	Pouzdro TO-220-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPP120
Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 84A, 10V