Name: IPN95R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 42.7856 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPN95R1K2P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPN95R1K2P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPN95R1K2P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPN95R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPN95R1K2P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 950 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPN95R1K2P7ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	950 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2Ohm při 2,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 140µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	478 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	7W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT223
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	IPN95R1

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	9,23176 Kč	27 695,28 Kč
6 000	8,70154 Kč	52 209,24 Kč

Jednotková cena bez DPH:	35,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	42,78560 Kč

IPN95R1K2P7ATMA1