IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPN80R900P7ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 363

Jednotková cena : 39,48000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPN80R900P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPN80R900P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPN80R900P7ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 110µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 350 pF @ 500 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 7W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-SOT223
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A (Tc)	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPN80R900
Rds zap (max) při Id, Vgs 900mOhm při 2,2A, 10V