Name: IPN60R3K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R3K4CEATMA1TR-ND
Price: 18.2952 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPN60R3K4CEATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPN60R3K4CEATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPN60R3K4CEATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPN60R3K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPN60R3K4CEATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 2,6A (Tc) 5W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPN60R3K4CEATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 40µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4.6 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 93 pF @ 100 V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Rozptylový výkon (Max) 5W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-SOT223-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,6A (Tc)	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPN60R3
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,4Ohm při 500mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 34 374

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)