Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 169.9808 CZK
Availability: InStock

IPL65R099C7AUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPL65R099C7AUMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-VSON-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPL65R099C7AUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 5,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 590µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2140 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	128W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-VSON-4
Pouzdro	4-PowerTSFN
Základní číslo produktu	IPL65R099

Jednotková cena bez DPH:	140,48000 Kč
Jednotková cena s DPH:	169,98080 Kč

IPL65R099C7AUMA1