Name: IPL60R360P6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R360P6SATMA1TR-ND
Price: 45.617 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPL60R360P6SATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPL60R360P6SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPL60R360P6SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPL60R360P6SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPL60R360P6SATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 11,3A (Tc) 89,3W (Tc) Montáž na povrch 8-ThinPak (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPL60R360P6SATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	360mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 370µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1010 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	89,3W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-ThinPak (5x6)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IPL60R360

Jednotková cena bez DPH:	37,70000 Kč
Jednotková cena s DPH:	45,61700 Kč

IPL60R360P6SATMA1