Name: IPL60R105P7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R105P7AUMA1TR-ND
Price: 148.3823 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPL60R105P7AUMA1
Číslo produktu DigiKey	IPL60R105P7AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPL60R105P7AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPL60R105P7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPL60R105P7AUMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Standardní dodací lhůta výrobce	48 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 33A (Tc) 137W (Tc) Montáž na povrch PG-VSON-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPL60R105P7AUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 530µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 45 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1952 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 137W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-VSON-4
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 33A (Tc)	Pouzdro 4-PowerTSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPL60R
Rds zap (max) při Id, Vgs 105mOhm při 10,5A, 10V