IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPI60R099CPXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 558

Jednotková cena : 129,14000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 0

Jednotková cena : 34,09277 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPI60R099CPXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPI60R099CPXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPI60R099CPXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Průchozí otvor PG-TO262-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPI60R099CPXKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 1,2mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 80 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2800 pF @ 100 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 255W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO262-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Tc)	Pouzdro Dlouhé přívody TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPI60R099
Rds zap (max) při Id, Vgs 99mOhm při 18A, 10V