



IPI076N12N3GAKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPI076N12N3GAKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPI076N12N3GAKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Průchozí otvor PG-TO262-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPI076N12N3GAKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 130µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 101 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6640 pF @ 60 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 188W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO262-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,6mOhm při 100A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPI076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | 316 | 448-IPI076N15N5AKSA1-ND | 124,52000 Kč | MFR Recommended |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 81,26000 Kč | 81,26 Kč |
| 50 | 41,26940 Kč | 2 063,47 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 81,26000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 98,32460 Kč |








