Name: IPG20N04S4L18AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S4L18AATMA1TR-ND
Price: 41.6724 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N04S4L18AATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPG20N04S4L18AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPG20N04S4L18AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPG20N04S4L18AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N04S4L18AATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 20A (Tc) 26W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TDSON-8-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N04S4L18AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15nC při 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1071pF při 25V
Řada OptiMOS™ T2	Výkon - max 26W (Tc)
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-10
Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 17A, 10V	Základní číslo produktu IPG20N
Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 8µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 9 721

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®