Name: IPG20N04S4L07AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S4L07AATMA1TR-ND
Price: 55.2728 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPG20N04S4L07AATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPG20N04S4L07AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPG20N04S4L07AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPG20N04S4L07AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N04S4L07AATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 20A 65W Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TDSON-8-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N04S4L07AATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,2mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 30µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3980pF při 25V
Výkon - max	65W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-10
Základní číslo produktu	IPG20N

Jednotková cena bez DPH:	45,68000 Kč
Jednotková cena s DPH:	55,27280 Kč

IPG20N04S4L07AATMA1