IPG20N04S409ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 5 090
Jednotková cena : 42,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 1 766
Jednotková cena : 39,69000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 40V 20A (Tc) 54W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N04S409ATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IPG20N04S409ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPG20N04S409ATMA1
Popis
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 40V 20A (Tc) 54W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPG20N04S409ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
20A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
8,6mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 22µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
28nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2250pF při 25V
Výkon - max
54W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.