IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N04S408AATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N04S408AATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 20A 65W Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TDSON-8-10
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,6mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 30µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	36nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2940pF při 25V
Výkon - max	65W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-10
Základní číslo produktu	IPG20N

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 009

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)