Name: IPDQ65R018CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND
Price: 307.7393 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPDQ65R018CM8XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPDQ65R018CM8XTMA1
Popis	IPDQ65R018CM8XTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 127A (Tc) 625W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPDQ65R018CM8XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	127A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	18mOhm při 55,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,7V při 1,48mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8290 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	625W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP