Name: IPDQ65R008CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND
Price: 692.7008 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPDQ65R008CM8XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPDQ65R008CM8XTMA1
Popis	IPDQ65R008CM8XTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 270A (Tc) 1249W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPDQ65R008CM8XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 8mOhm při 125A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 4,7V při 3,24mA
Řada CoolMOS™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 375 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 18004 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1249W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 270A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP