Name: IPD80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 31.2543 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD80R3K3P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD80R3K3P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 1,9A (Tc) 18W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD80R3K3P7ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 30µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5.8 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 120 pF @ 500 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 18W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO252-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,9A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPD80R3
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,3Ohm při 590mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 500

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)